PN8034傳導(dǎo)相比PN8024R改善2dB;EMI裕量更足,可以直接兼容PN8024,相比PN8024外圍可以省一顆COMP電容,被廣泛應(yīng)用于非隔離輔助電源。
PN8034是PN8024的升級版,都具有完整的智能化保護功能,包括過流保護,欠壓保護,過溫保護等,內(nèi)置高壓啟動模塊,實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能,在不修改PCB改外圍的情況下是可以直接兼容替代的,所以pn8024是可以用pn8034代換的。
PN8034芯片特征:
內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
內(nèi)置高壓啟動電路
優(yōu)化適用于12V輸出非隔離應(yīng)用
DIP-7封裝半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率3.6W @230VAC
SOP-7封裝半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率3.0W @230VAC
改善EMI的降頻調(diào)制技術(shù)
優(yōu)異的負載調(diào)整率和工作效率
全面的保護功能:過流保護(OCP)、過溫保護(OTP)、欠壓保護(UVLO)。
PN8034相比PN8024性能優(yōu)勢:
PN8034 ESD(HBM)能力提升至8KV;
省COMP電容,外圍電路超精簡;
動態(tài)響應(yīng)提升4倍,在5mA-300mA-5mA切換遭遇功率尖峰時輸出更穩(wěn)定;
空載啟動尖峰為0.1V,有效避免啟動輸出過沖損壞次級元器件。
PN8024和pn8034都集成了PFM控制器及智能功率MOSFET, VCC耐壓一樣的都是40V,PN8034芯片相比PN8024可靠性有所提升,進一步降低芯片失效率,同時良好的特性也將提升整機系統(tǒng)的穩(wěn)定性,降低整機失效率。在同一套整機系統(tǒng)應(yīng)用中,PN8034 傳導(dǎo)相比PN8024R 改善2dB;EMI裕量更足,可以直接兼容PN8024,相比PN8024外圍可以省一顆COMP電容,被廣泛應(yīng)用于非隔離輔助電源。