BP86213D特點(diǎn)

BP86213D是一款高集成度的低功耗PSR隔離CC/CV控 低待機(jī)功耗<75mW 制芯片。芯片工作在電感電流斷續(xù)導(dǎo)通模式，適用于 集成高壓?jiǎn)?dòng)和供電電路 85Vac~265Vac全范圍輸入電壓的隔離反激電源。

PWM/PFM、準(zhǔn)諧振多模式控制 士3%輸出電壓精度

BP86213D芯片采用獨(dú)有的電壓電流控制技術(shù)，不需要環(huán)士5%輸出電流精度路補(bǔ)償電容，即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的恒壓恒流特性，極大的節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積。 

內(nèi)置軟啟動(dòng) 線電壓補(bǔ)償

BP86213D內(nèi)部框架圖

BP86213D 芯片集成650VMOSFET、高壓?jiǎn)?dòng)和供電電 保護(hù)功能 路。采用PWM/PFM多模式控制技術(shù)，從輔助繞組給VCO 輸入欠壓保護(hù)(Brown-in/out) 供電，能有效降低系統(tǒng)待機(jī)功耗，提高效率和動(dòng)態(tài)性能， 并減小系統(tǒng)工作在輕載時(shí)的噪聲。 

BP86213D具有多重保護(hù)功能，包括輸出開路/短路保 輸出過(guò)壓保護(hù)(OutputOVP) 護(hù)，芯片供電欠壓/過(guò)壓保護(hù)，CS開路/短路保護(hù)，輸入 反饋開路保護(hù) 欠壓保護(hù)、逐周期限流，過(guò)溫保護(hù)等。 逐周期限流(Cycle-by-Cycle) BP86213D芯片采用 SOP-8 封裝，增大了高壓 DRAIN 遲滯過(guò)溫保護(hù)(OTP) PIN到其他腳位的爬電距離，使得芯片能夠應(yīng)用于較復(fù)雜的工作環(huán)境

BP86213D典型應(yīng)用

家用電器輔助電源 

PC待機(jī)電源通信、工業(yè)控制輔助電源

適配器、充電器