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SLD90N02T

20V 90A TO-252 N管

產(chǎn)品詳情

SLD90N02T :  20V 90A  TO-252  N溝道 MOS場效應(yīng)管

SLD90N02T   描述:功率MOSFET采用Maple semi先進(jìn)的平面帶狀技術(shù)生產(chǎn)。這項先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少傳導(dǎo)損耗,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和換相模式.
特點:N通道:20V 90A RDS(開)典型值=2.8mΩ@VGS=4.5V RDS(開)典型值=4mΩ@VGS=2..5V-極低導(dǎo)通電阻RDS(開)-低CRSS-快速切換-100%雪崩測試-提高dv/dt能力。
應(yīng)用:PWM應(yīng)用,負(fù)載開關(guān),電源管理。

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